娄浩樑
绍兴大学物理学研究生，研究方向为集成电路器件与物理，聚焦神经形态器件、新型栅介质材料与 AI 辅助半导体科研。
英文名：Leo Lou。求职方向：器件研发 / 工艺整合工程（PIE）/ 工艺工程（PE）。
个人概述
具备微电子工程本科基础和物理学研究生训练，研究方向面向半导体器件、神经形态存储与新型介质材料。具备薄膜制备、电学测试、材料表征和器件响应分析经验，熟悉旋涂、真空蒸镀、磁控溅射、ALD、探针台、半导体参数分析仪、SEM、XPS、XRD 等工具。能够使用 AI 辅助文献梳理、实验规划、数据组织与技术表达。
教育经历
物理学 硕士研究生在读
方向：集成电路器件与物理。研究聚焦神经形态器件、新型栅介质、非易失存储与 AI 辅助半导体科研。
微电子科学与工程 本科
本科阶段完成微电子相关训练，形成半导体物理、器件物理、集成电路工艺、电路分析、EDA、版图与测试基础。
研究方向
神经形态存储器件
围绕类突触响应、多态调控、非易失存储行为与低功耗计算相关器件概念开展研究。
离子调控界面
研究电解质与生物衍生介质体系对界面调控、器件响应和材料-器件耦合的影响。
可持续器件材料
关注绿色、低成本、柔性兼容与工艺可接近的新型材料体系。
AI 辅助科研
将 AI 用于文献图谱、实验规划、机理分析、数据整理和科研写作，提高复杂交叉方向的研究效率。
代表项目
电解质栅控神经形态存储器件
围绕 PVA:Li 电解质体系探索非易失存储与人工突触功能，强调低电压调控、自适应响应和面向器件应用的研究价值。
生物衍生栅介质器件探索
围绕阿拉伯胶相关介质材料开展新型器件研究，关注绿色材料、离子调控、柔性兼容、低成本制备与介电行为。
实验与表征技能
相关课程
- 半导体物理、半导体器件物理、高等量子力学、薄膜物理
- 集成电路工艺原理、集成电路工艺实验、集成电路制造、半导体器件封装
- 电路分析基础、数字电子技术、电子线路、EDA 技术、集成电路版图设计
- 半导体光电材料、光伏器件与技术、集成电路分析测试技术
论文记录
Nano Letters 相关发表论文
相关论文发表于 Nano Letters / ACS Publications。DOI：10.1021/acs.nanolett.5c05834。题名、作者顺序与个人贡献可在确认后补充为正式条目。